目前，在全球存储领域，三星和SK Hynix是真正的覆盖层，三星是世界上排名第一，SK Hynix是世界第二个。这两家公司的合并部分高达50％。老实说，作为该领域的后起之秀，与三星，SK Hynix等相比，在市场共享和技术方面仍然存在一定的差距。但是，有些尴尬的事情来了。三星和SK Hynix现在被困在这样的记忆记忆中。整个故事是什么？我们知道，当NAND闪存芯片正在追逐先进的技术时，它们不能仅依靠微型过程，例如5nm和3nm，因为在芯片内存进入18nm之后，它将是不稳定的复发，这很容易带来诸如数据丢失之类的风险。因此，芯片存储器部分中的许多人在达到18nm或15nm后停止了该过程的退出。但是该过程不会略微减少，因此如何加快存储速度和存储速度？冰ren主流的方法是两个步骤。一种是将芯片堆叠并在128层，232层和400层上设计。这类似于建造高建筑物。越高的人生活，您存储的东西越多。扩展全文
然后，存储的部分与电路接口分开，并且存储部分不会减小到该过程，但是可以在5nm或3nm处处理产品电路连接的外部，并且读取和写作的速度更快。
但是，在部分存储和接口电路的外部分开之后，将这两个部分链接在一起。这项技术称为[混合键合]技术，因此该技术是一项不可避免的技术。
近年来，混合键合技术发展迅速。自2019年以来，相关专利的数量增加了四次以上，而TSMC，Adeia和扬tze的记忆一直是HYBRID键合IP。
该领域的TSMC专利主要集中在2.5D和3D IC应用中，用于其自身的芯片制造，包装等。
混合粘合杨氏记忆技术专利主要集中在涉及NAND，DRAM和SRAM的记忆记忆领域。除了逻辑和内存记忆的混合键合以及围绕粘结层周围的外围电路的集成外，Changjiang的内存称这项技术称为“ Xtacking”（Crystal Stack）。
数据表明，从2017年到2024年1月，长江的记忆揭示了共119张债券相关的专利，而三星仅透露了83份专利，而SK Hynix仅显示了11个。两者的总和不如扬格记忆。
因此，为了开发NAND内存芯片，三星从YMTC获得了混合键合专利，以制造下一代的闪存芯片。该机构希望SK Hynix寻求达成类似的协议。毕竟，考虑长扬的记忆专利不可避免的是三星不可避免的。
可以看出，这次，中国公司长江在Chu中幸存下来，作为后者的明星，在技术方面确实粘在三星和SK Hynix的脖子上，也证明了它可以用筹码来完成中国公司。回到Sohu看看更多